【赛迪网讯】威盛电子及其子公司S3 Graphics日前宣布，它们已获Kentron Technologies高速内存技术授权，可在芯片组中使用后者的四倍带宽内存（QBM）控制器接口技术，这种技术可将DDR内存工作速度提升1倍。

据我国台湾媒体报道：QBM是Kentron正在推广的技术，它采用以FET为基础的交换技术，可使DDR SDRAM工作速度倍增。

威盛方面表示，内存和芯片组采用QBM技术后，可在现有DDR产品基础上开发出DDR 533或DDR 667平台，这项技术可强化威盛在高性能芯片组市场上的地位，也可开发出现有DDR产品的潜能。